台湾油升YEOSHE叶片泵的工作原理

加热机构52包括加热器521、驱动电机522和风轮523，所述驱动电机522安装于所述箱体1内并位于所述处理室11远离所述机械式密封门的一侧，所述风轮523连接于所述驱动电机522动力输出端，所述加热器521安装于所述箱体1内并与所述风轮523配合设置，所述温度控制装置分别与所述加热器521和所述驱动电机522电连接；本实施例中所述加热器521采用覆套式电热器，所述风轮523采用强力型不锈钢风轮，所述驱动电机522采用热风烤箱专用的长轴马达，当需要加热时，加热器通电加热，驱动电机带动风轮转动将加热器周围的热空气吹至处理室内进行加热，加热效果均匀且迅速。

39.所述水冷机构53包括水冷管531和循环水路，所述水冷管531缠绕于所述处理室11外侧，所述循环水路一端与所述水冷管531连接，另一端与外部水源连接，通过水泵将循环水路的循环水通入水冷管，所述温度控制装置与水泵电连接，配合感温线智能对箱体内部进行冷却。

40.所述电气控制柜4包括泄真空控制器41和充氮控制器42，所述泄真空控制器41与所述抽气机构2电连接，所述泄真空控制器41用于控制箱体1的泄真空作业，所述充氮控制器42与所述加压充气机构3电连接，所述充氮控制器42用于控制箱体1内的充氮作业；本实施例中所述泄真空控制器包括手动泄真空旋钮411和自动泄真空旋钮412，分别实现泄真空的手动操作和自动操作；所述手动泄真空旋钮411和所述自动泄真空旋钮412均与所述真空泵电连接。

41.所述箱体1一侧设置有控制面板6，所述控制面板6分别与所述抽气机构2、加压充气机构3和温度控制机构5电连接，分别用于控制各个阶段的作业。

42.所述箱体1顶端设置有三色灯7，所示三色灯7与所述控制面板6电连接，所述三色灯7用于展示装置的工作状态，当三色灯显示红色时，处于工作状态，表示可以不能开启机械式密封门，当显示绿色时，说明装置处于静止状态，可以打开箱门，当显示黄色时，说明装置正处于泄压状态。

43.作为优化，本实施例中所述箱体内部采用sus304型5.0mm厚的不锈钢板制作附凹形铁补强，箱体外部采用sus41型冷轧钢板制作，外壁设置防静电粉体烤漆，保护箱体。

44.作为优化，所述箱体内部还设置有保温结构(图中未示出)，所述保温结构包括保温棉和隔热板，所述保温棉设置于所述箱体内壁上，所述隔热板设置于所述保温棉靠近所述箱体内壁的一侧并通过耐高温矽胶固定在箱体内部，所述保温棉的厚度为90mm。

45.本实施例所述的一种正负压力固晶炉正常工作时，将半导体芯片以及半导体片材放入处理室内，控制面板控制真空泵工作，在缓冲罐的稳流作用下对处理室制造真空环境，真空环境可避免半导体芯片被氧化，随后控制空压机工作，控制面板控制空压机和氮气机工作，并控制电控三通阀将氮气机与空压机相连通，空压机向箱体内部充氮气，控制充氮气的体积为箱体体积的60％～70％；再控制加热器加热使内部环境温度为80℃，驱动电机动力输出端带动风轮转动将加热器周围的热气吹至半导体芯片上，防止将半导体芯片以及半导体片材粘结的银胶固化；随后再次控制空压机工作将高压氮气通入箱体内，高压氮气将银胶内的气泡压除清理，完成气泡的清除工作；带银胶固化后在将内部环境加热至150℃，保持2h的时间，使得银胶的粘结更加稳定，半导体芯片的质量更好；后通过水冷机构将箱体内部的温度降至60℃，泄压后完成工作。

台湾油升YEOSHE齿轮泵HGP-05A-F-03-R-X   HGP-05A-L-03-R-X    HGP-05A-F-03-L-X    HGP-05A-L-03-LX

台湾油升YEOSHE齿轮泵HGP-05A-F-05-R-X   HGP-05A-L-05-R-X    HGP-05A-F-05-L-X    HGP-05A-L-05-LX

台湾油升YEOSHE齿轮泵HGP-05A-F-08-R-X   HGP-05A-L-08-R-X    HGP-05A-F-08-L-X    HGP-05A-L-08-LX

台湾油升YEOSHE齿轮泵HGP-05A-F-11-R-X   HGP-05A-L-11-R-X    HGP-05A-F-11-L-X    HGP-05A-L-11-LX

台湾油升YEOSHE叶片泵：

1：VHO-F-08叶片泵、VHO-F-12叶片泵、VHO-F-15叶片泵、VHO-F-20叶片泵

2：VHI-F-30、VHI-F-40、VHI-F-40-A2 、VHI-F-30-A3

3：AHPF-30、AHPF-40、VR15-70、VR20-70、VR30-70、VR40-70

4：VP-15F-A3、VP-15-F/A1、VP-20F-A3、VP-20-F/A2、VP-30F-A3

5：VP-30-F/A3、VP-40F-A3、VP-40-F/A3、NVP-30-F/A2、NVP-40-F/A3 

6：VDP-15-70-60、VDP-20-70-60、VDP-SF-12、VDP-SF-20、VDP-SF-30-D

7：VDP-SF-40-D、VDP-SF-30-C、VDP-SF-40-B

8：VPC-FB-20、VPC-FB-30、VPC-FB-40、VPC-30-F-A1、VPC-30-F-A2

9：VPC-30-F-A3、VPC-40-F-A1、VPC-40-F-A2、VPC-40-F-A3、

46.本发明提供的一种正负压力固晶炉在对半导体芯片的处理过程有效防止其氧化，并且在封装过程中通过加压充气机构将银胶内的气泡压除，避免气泡的产生，使得半导体芯片与半导体片材在后续的回焊过程中不会受到较大的应力，避免芯片及片材损坏，提高半导体芯片的质量。

47.对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对上述实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的宽的范围。

超导电力装备工作在液氮环境中，与常规电网电气连接和温度过渡均需通过高压引线实现，其温度梯度大，需要考虑高压绝缘、低温绝热、真空密封、力学支撑等诸多问题。电流引线一端处于室温，一端处于超导装置的液氮温区下，沿电流引线产生的传导热和产生的焦耳热占整个低温系统漏热的50％以上，在很大程度上决定着低温系统的功率等级，增加了超导电力装备的运行费用；同时，电流引线工作时必将到诸如系统短路故障等各种动态过程，承受短路大电流冲击，造成绝缘击穿。