第1磁传感器110和第2磁传感器120可以利用来自第1线圈210和第2线圈220的校准磁场进行灵敏度调整。另外，第3磁传感器130可以利用来自第3线圈230的校准磁场进行灵敏度调整。

第1磁传感器110、第2磁传感器120以及第3磁传感器130(以下也统称为“第1磁传感器110等”)分别可以包括构成惠斯通电桥电路的磁阻元件。例如，第1磁传感器110等分别可以是包括沿着x方向和y方向划分出的区域r1、区域r2、区域r3以及区域r4的磁阻元件。第1磁传感器110等分别可以在区域r1与区域r2的边界、区域r1与区域r3的边界、区域r2与区域r4的边界以及区域r3与区域r4的边界连接有端子。

图7表示本实施方式的构成惠斯通电桥电路的第1磁传感器110等的等效电路的一个例子。图7的电阻r1～电阻r4与图6的区域r1～r4相对应。如图所示，在第1磁传感器110等中，电阻r1的一端、电阻r3的一端以及电源端子相连接，电源端子与恒压源相连接，由此对电源端子施加电压v。电阻r1的另一端、电阻r2的一端以及正极输出端子相连接，从正极输出端子输出有输出电压v1。电阻r3的另一端、电阻r4的一端以及负极输出端子相连接，从负极输出端子输出有输出电压v2。电阻r2的另一端、电阻r4的另一端以及接地端子相连接，接地端子与地线g相连接。

第1磁传感器110等将输出电压v1和v2之差作为传感器输出而输出。第1磁传感器110等的接地端子可以在磁传感器芯片100内的布线层彼此连接。

图8表示图2所示的磁传感器模块10的剖面s(点划线)的垂直剖面的概略图。图2的剖面s与图3的直线l-l'相对应。如图所示，磁传感器芯片100和ic芯片200利用粘接层190粘接。另外，第1线圈210和第2线圈220在ic芯片200中形成于Zui上层的金属层即第1金属层240。第3线圈230在ic芯片200中形成于第1金属层240的下层的金属层即第2金属层250。

搭载基板300具有引线框306，在引线框306上搭载ic芯片200。在引线框306的外周部分上表面设有用于与导线290相连接的焊盘302。在引线框306的背面设有包括第1外部输出端子～第4外部输出端子的外部输出端子304。搭载基板300可以是具有触点作为外部输出端子304的、触点栅格阵列(lga)基板。

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1DG1BP0605R

DSG-01-3C60-A220-N1-50  DSG-01-3C60-A110-N1-50  DSG-01-3C60-D24-N1-50

DSG-02-2B2-A240-N1-50   DSG-02-2B2-A100-N1-50   DSG-02-2B2-D24-N1-50

DSG-02-2B3-A240-N1-50   DSG-02-2B3-A100-N1-50   DSG-02-2B3-D24-N1-50

DSG-02-2B2B-A240-N1-50  DSG-02-2B2B-A100-N1-50  DSG-02-2B2B-D24-N1-50

DSG-02-2B2A-A240-N1-50  DSG-02-2B2A-A100-N1-50  DSG-02-2B2A-D24-N1-50

DSG-02-2B2A-A220-N1-50   DSG-02-2B2A-A110-N1-50

DSG-02-2B3B-A240-N1-50   DSG-02-2B3B-A100-N1-50   DSG-02-2B3B-D24-N1-50

DSG-02-2B60B-A240-N1-50  DSG-02-2B60B-A100-N1-50  DSG-02-2B60B-D24-N1-50

DSG-02-2B4A-A240-N1-50   DSG-02-2B4A-A100-N1-50   DSG-02-2B4A-D24-N1-50