PV2R2-26-F-RAA-41   PV2R2-26-F-RAB-41为了维持磁传感器的精度，期望在动作过程中也对灵敏度进行校正。因此，众所周知如下一种方法：向内置于磁传感器芯片的灵敏度调整用线圈供给恒定电流，生成已知的磁场，通过对该磁场进行测量，在动作过程中调整磁传感器的灵敏度(例如专利文献1和专利文献2)。

磁阻元件的电阻值依赖于温度。因而，即使灵敏度调整用线圈所产生的磁场是一定的，当发生温度变化时，磁阻元件的输出也会变动。为了确保灵敏度调整的分辨能力，对灵敏度调整用线圈赋予ma数量级的较大的电流。这时，当因向线圈通电而产生的热向磁阻元件等具有温度依赖性的磁传感器传递时，与没有向线圈通电的情况相比，会产生灵敏度误差。这样的线圈发热所引起的灵敏度误差有时会妨碍准确的灵敏度调整。

与此相对，在专利文献3中记载了如下内容：“一种磁传感器装置，该磁传感器装置的特征在于，具有：磁阻元件对，该磁阻元件对是将两个磁阻元件串联连接而成的；存储器，该存储器将该磁阻元件对的‘温度-中点电压’特性作为‘地址-数据’进行存储；温度测量电路，该温度测量电路对磁阻元件对的温度进行测量；温度/地址转换电路，该温度/地址转换电路将该测量出的温度转换为存储器的地址并向存储器输入；数据/基准电压转换电路，该数据/基准电压转换电路将存储器所输出的数据转换为基准电压并输出；以及差动放大电路，该差动放大电路将该基准电压与磁阻元件对的中点电压之差放大并输出。”

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