工作时，非磁性转轮2以频率f绕z轴旋转，光入射孔的位置发生变化。当第一光入射孔10(1)正对第一发光元件161时，第一光探测器14探测到第一发光元件161的光线并将该光信号转变为电信号，从而能够探测到非磁性转轮2的角位移，并触发第一逻辑触发电路输出频率为4n×f的第一参考信号，可选该第一参考信号的电平为高电平，并保持输出；顺序的，当第一光入射孔10(2)正对第一发光元件161时，第一光探测器14探测到第一发光元件161的光线并将该光信号转变为电信号，从而能够探测到非磁性转轮2的角位移，并触发第一逻辑触发电路切换第一参考信号的电平，此时第一参考信号从高电平切换为4n×f频率的低电平，并保持输出；以此类推，当第一光入射孔10正对第一发光元件161时，第一光探测器14触发第一逻辑触发电路切换第一参考信号的电平，当第一光入射孔10与第一发光元件161交错时，第一逻辑触发电路输出的第一参考信号的电平保持不变。由此可知，第一逻辑触发电路输出频率为4n×f的由高电平和低电平组成的第一参考信号。

同理，基于第二发光元件162、第二光入射孔11和第二光探测器15，第二逻辑触发电路输出频率为m×f的由高电平和低电平组成的第二参考信号。

可选第一光探测器14、第二光探测器15、x轴磁阻传感器7和8、y轴磁阻传感器5和6以及z轴磁阻传感器9位于同一电路板13上。可以理解，光探测器、磁阻传感器、逻辑触发电路等结构均位于同一电路板13上，逻辑触发电路与对应的光探测器电连接，但并不具体限定逻辑触发电路的柱坐标。

示例性的，在上述技术方案的基础上，可选参考信号发生器包括模拟角度传感器和倍频器；模拟角度传感器监控非磁性转轮的旋转，并输出随角度变化的正弦或余弦周期信号，再通过倍频器分别输出频率为4n×f的第一参考信号和频率为m×f的第二参考信号。与上述实施例不同，本实施例中参考信号发生器可以设置在转轴上。参考信号发生器包含模拟角度传感器，该模拟角度传感器可以用于检测转轴的转动，根据转轴的旋转角度输出频率为f的正弦或者余弦信号。参考信号发生器还包括倍频器，频率为f的正弦或者余弦信号经过倍频器分别生成频率为4n×f的第一参考信号和频率为m×f的第二参考信号。

示例性的，在上述技术方案的基础上，可选x轴磁阻传感器、y轴磁阻传感器、z轴磁阻传感器均为隧道磁阻线性传感器。

如图10所示可选外部处理电路包括第一锁相电路24、第二锁相电路28和第三锁相电路26；y轴磁阻传感器5和6的测量信号经过第一电容20耦合输出到第一锁相电路24，x轴磁阻传感器7和8的测量信号经过第二电容22耦合输出到第二锁相电路28，z轴磁阻传感器9的测量信号经过第三电容21耦合输出到第三锁相电路26，其中，锁相电路均包含混频器和低通滤波器，第一锁相电路24和第二锁相电路28的低通滤波器的截止频率均小于4n×f，第三锁相电路26的低通滤波器的截止频率小于m×f。

可选外部处理电路还包括前置放大器，前置放大器设置在电容和锁相电路之间。如图11所示，待测量物理量43即测量信号经过调制传感器44形成频率为f的信号，其中包括高频载波信号源vac和与其相应的传感器441。锁相电路42可选为锁相放大器或锁相环，包括混频器421和低通滤波器422，调制传感器44输出的调制信号经过一个带噪声放大器45进行信号放大，得到信号频率为f的信号，其中，噪声放大器45即为前置放大器。然后，高频载波信号源vac直接输出一个具有频率为f信号的同频率参考信号，该参考信号输入到混频器421，混频后得到一个高频信号和一个低频信号，而后通过低通滤波器422去掉低频部分。由于噪声信号不会发生频移，所以放大器45的噪声也被过滤掉，Zui后得到没有放大器噪声的高频输出信号46。

截止阀 W03-8076Z-13MS

止回阀 W03-8036W-13MS

截止阀 W03-8076Z-13MS

止回阀 W03-8036W-13MS

疏水阀 21/2" B09-5076Z-58US

疏水阀 21/2" B09-8076Z-58US

截止阀 2”B08-2074B-06TY

截止阀 11/2”B07-2074B-06TY

截止阀 11/2”B07-8076Z-06TS

加拿大VELAN截止阀 B05-9076Z-34US DN25

加拿大VELAN电动截止阀 B05-9076Z-06TS DN25

VELAN    B05-9076Z-06TS-C

加拿大VELAN 威兰截止阀 2B08-9076Z-06T

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如图10所示可选第一参考信号分别连接到第一锁相电路24和第二锁相电路28，第一锁相电路24输出与外磁场h的y轴磁场分量对应的vy信号，第二锁相电路28输出与外磁场h的x轴磁场分量对应的vx信号；第二参考信号连接到第三锁相电路26，第三锁相电路26输出与外磁场h的z轴磁场分量对应的vz信号。可选锁相电路为图中所示锁相放大器。

如上所述，第一光入射孔10(1)在第一发光元件161的照射下，第一光电探测器14将非磁性转轮2旋转的频率f转变成4n×f的第一参考信号。第二光入射孔11(1)在第二发光元件162的照射下，第二光电探测器15将非磁性转轮2旋转的频率f转变成m×f的第二参考信号。其中，第一参考信号分别传输至触发器23和触发器27，经触发器23输入到锁相放大器24的参考信号输入端，用于后续得到对应y轴磁阻传感器的测量信号，经触发器27输入到锁相放大器28的参考信号输入端，用于后续得到对应x轴磁阻传感器的测量信号。第二参考信号被传输至触发器25，经触发器25输入到锁相放大器26的参考信号输入端，用于后续得到对应z轴磁阻传感器的测量信号。

另一方面，x轴磁阻传感器7，y轴磁阻传感器5和z轴磁阻传感器9接收到的敏感磁场分量hx、hy和hz分别转变成频率为4n×f，4n×f和m×f的电信号，并分别经过耦合电容即第一电容20、第二电容22和第三电容21后输入到锁相放大器24、26和28的测量信号输入端。这样锁相放大器24根据触发器23输出的第一参考信号和y轴磁阻传感器5的y轴测量信号，得到y轴磁场分量的输出信号vy；锁相放大器28根据触发器27输出的第一参考信号和x轴磁阻传感器7的x轴测量信号，得到x轴磁场分量的输出信号vx，锁相放大器26根据触发器25输出的第二参考信号和z轴磁阻传感器的z轴测量信号，得到z轴磁场分量的输出信号，从而Zui终得到外磁场的矢量值。

锁相放大器24、26和28对应的参考信号为脉冲形式，光电探测器14和15接受到的光信号用于激发触发器23、25和27，而后分别输出高电平和低电平。光探测器每接受到一次led入射光，则进行高低电平反转触发，即开始时低电平，在接受到led入射光之前，一直保持低电平，接受到led入射光后切换为高电平，并且一直保持高电平，直到接受到下一次led入射光，再次从高电平变成低电平。

示例性的，在上述技术方案的基础上，如图12和图13所示可选非磁性转轮2通过磁屏蔽电机29驱动产生旋转，非磁性转轮2和磁屏蔽电机29通过非磁性传动轴12连接，磁屏蔽电机29表面覆盖一层金属导电层291，磁屏蔽电机291的靠近非磁性转轮2的一侧覆盖软磁金属层292进行磁屏蔽。可选第一软磁扇区3、第二软磁扇区4以及软磁金属层292均为软磁合金材料。

本实施例中，磁屏蔽电机29通过非磁性传动轴即转轴12来驱动非磁性转轮2旋转。磁屏蔽电机29包括电机293以及连接电机293和非磁性转轮2的转轴12，还包括包在电机293表面的金属导电屏蔽层291，其中靠近非磁性转轮2的一侧还贴附有软磁金属层292。非磁性转轮2为非磁性材料，包括塑料、陶瓷、金属和聚合物；第一软磁扇区、第二软磁扇区和软磁金属层为软磁合金材料，即包含co、fe、ni和b、si、c以及过渡金属nb、cu、zr元素组成的高磁导率软磁材料。软磁金属屏蔽层292用于对电机293的旋转磁场进行屏蔽，以免对非磁性转轮2造成影响。