加拿大VELAN威兰球阀如何安装

非磁性转轮、4n个第一软磁扇区和m个第二软磁扇区，所述第一软磁扇区和所述第二软磁扇区均位于所述非磁性转轮上，所述4n个第一软磁扇区的柱坐标分别为(r[r1,r2]，α[φ0,90°/n-φ0]，z[z0,z0+th1])、(r[r1,r2]，α[φ0+90°/n，2×90°/n-φ0]，z[z0,z0+th1])、(r[r1,r2]，α[φ0+(i-1)×90°/n,i×90°/n-φ0]，z[z0,z0+th1])和(r[r1,r2]，α[φ0+(4n-1)×90°/n,4n×90°/n-φ0]，z[z0,z0+th1])，所述m个第二软磁扇区的柱坐标分别为(r[r3,r4]，α[φ1,360°/m-φ1]，z[z1,z1+th3])、(r[r3,r4]，α[φ1+360°/m,2×360°/m-φ1]，z[z1,z1+th3])、(r[r3,r4]，α[φ1+(i-1)×360°/m，i×360°/m-φ1]，z[z1,z1+th3])和(r[r3,r4]，α[φ1+(m-1)×360°/m,m×360°/m-φ1]，z[z1,z1+th3])；

位于柱坐标(r(r＝(r1+r2)/2)，α(α＝0°&180°)，z[(z＝z0-th2)|(z＝z0+th1+th2)])位置处的y轴磁阻传感器；

位于柱坐标(r(r＝(r1+r2)/2)，α(α＝90°&270°)，z[(z＝z0-th2)|(z＝z0+th1+th2)])位置处的x轴磁阻传感器；

位于柱坐标(r(r＝(r3+r4)/2),α[(α＝180°/m)|(α＝3×180°/m)|…|(α＝(2i-1)×180°/m)|…|(α＝(2m-1)×360°/m)|(α＝(m-1)×360°/m)]，z[(z＝z1-th4)|(z＝z1+th3+th4)])位置处的z轴磁阻传感器；

以及参考信号发生器，其中4n/m和m/4n均为非整数；

加拿大VELAN威兰阀门 加拿大VELAN闸阀、VELAN截止阀、VELAN止回阀 VELAN蝶阀、VELAN刀闸阀

VELAN球阀

B05-5076Z-06TS

B06-3074B-05TS

B07-2074B-06TS

B08-2074B-06TS

B10-8076Z-06TS

B04-8076Z-02TS

B12-0074C-02TY

S03-2054B-02TY

W-2054B-02TY

S-2054B-02TY

S04-2054B-02TY

截止阀 W03-8076Z-13MS

止回阀 W03-8036W-13MS

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止回阀 W03-8036W-13MS

疏水阀 21/2" B09-5076Z-58US

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工作时，所述非磁性转轮以频率f绕z轴旋转，外磁场h经所述第一软磁扇区调制成频率为4n×f的敏感磁场分量hx和hy，所述外磁场h还经所述第二软磁扇区调制成频率为m×f的敏感磁场分量hz，该三个敏感磁场分量hx、hy和hz分别经过该x轴、y轴和z轴磁阻传感器输出对应的测量信号，所述参考信号发生器输出频率为4n×f的第一参考信号和m×f的第二参考信号，所述第一参考信号、所述第二参考信号和所述测量信号经外部处理电路解调输出磁场值hx、hy和hz，以此对三维磁场信号的高信噪比进行测量。

本发明实施例中，旋转碟式磁场强探头包括非磁性转轮、4n个第一软磁扇区、m个第二软磁扇区、参考信号发生器以及x轴、y轴和z轴磁阻传感器，第一软磁扇区和第二软磁扇区均位于非磁性转轮上，x轴、y轴和z轴磁阻传感器位于非磁性转轮的上方或下方位置处。本发明实施例中，旋转蝶式磁场强探头将静止磁场调制成高频磁场，在高频磁场中进行测量，这样可以有效克服tmr磁阻传感器直流漂移引起的噪声，消除直流offset的影响，大大降低tmr磁阻传感器使用的噪声。并且该测量结构制作方法简单，只要在磁阻传感器外加一个旋转软磁探头即可实现，降低了测量结构的复杂性和尺寸，该测量结构对于地磁场的监控及信噪比的提高具有使用价值。

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图虽然是本发明的一些具体的实施例，对于本领域的技术人员来说，可以根据本发明的各种实施例所揭示和提示的器件结构，驱动方法和制造方法的基本概念，拓展和延伸到其它的结构和附图，毋庸置疑这些都应该是在本发明的权利要求范围之内。

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将参照本发明实施例中的附图，通过实施方式清楚、完整地描述本发明的技术方案，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例所揭示和提示的基本概念，本领域的技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

参考图1所示，为本发明实施例提供的一种旋转碟式磁场强探头的示意图，图2是图1沿b-b的剖视图，图3是图1沿b-b的剖视图，图4是图1的旋转示意图。该旋转碟式磁场强探头1包括：非磁性转轮2、4n个第一软磁扇区3和m个第二软磁扇区4，第一软磁扇区3和第二软磁扇区4均位于非磁性转轮2上，4n个第一软磁扇区3的柱坐标分别为(r[r1,r2]，α[φ0,90°/n-φ0]，z[z0,z0+th1])、(r[r1,r2]，α[φ0+90°/n,2×90°/n-φ0]，z[z0,z0+th1])、(r[r1,r2]，α[φ0+(i-1)×90°/n,i×90°/n-φ0]，z[z0,z0+th1])和(r[r1,r2]，α[φ0+(4n-1)×90°/n,4n×90°/n-φ0]，z[z0,z0+th1])，m个第二软磁扇区4的柱坐标分别为(r[r3,r4]，α[φ1,360°/m-φ1]，z[z1,z1+th3])、(r[r3,r4]，α[φ1+360°/m,2×360°/m-φ1]，z[z1,z1+th3])、(r[r3,r4]，α[φ1+(i-1)×360°/m，i×360°/m-φ1]，z[z1,z1+th3])和(r[r3,r4]，α[φ1+(m-1)×360°/m,m×360°/m-φ1]，z[z1,z1+th3])；位于柱坐标(r(r＝(r1+r2)/2)，α(α＝0°&180°)，z[(z＝z0-th2)|(z＝z0+th1+th2)])位置处的y轴磁阻传感器5和6；位于柱坐标(r(r＝(r1+r2)/2)，α(α＝90°&270°)，z[(z＝z0-th2)|(z＝z0+th1+th2)])位置处的x轴磁阻传感器7和8；位于柱坐标(r(r＝(r3+r4)/2),α[(α＝180°/m)|(α＝3×180°/m)|…|(α＝(2i-1)×180°/m)|…|(α＝(2m-1)×360°/m)|(α＝(m-1)×360°/m)],z[(z＝z1-th4)|(z＝z1+th3+th4)])位置处的z轴磁阻传感器9；以及参考信号发生器，其中4n/m和m/4n均为非整数；

工作时，非磁性转轮2以频率f绕z轴旋转，外磁场h经第一软磁扇区3调制成频率为4n×f的敏感磁场分量hx和hy，外磁场h还经第二软磁扇区4调制成频率为m×f的敏感磁场分量hz，该三个敏感磁场分量hx、hy和hz分别经过该x轴、y轴和z轴磁阻传感器输出对应的测量信号，参考信号发生器输出频率为4n×f的第一参考信号和m×f的第二参考信号，第一参考信号、第二参考信号和测量信号经外部处理电路解调输出磁场值hx、hy和hz，以此对三维磁场信号的高信噪比进行测量。

本实施例中，非磁性转轮2的结构形状为圆形且具有一定厚度，可选为厚度较小的圆柱体衬底。以非磁性轮状2的中心轴为z＝0轴建立xyz坐标系，其中，x轴和y轴构成的平面平行于非磁性轮状2的上下表面，z轴方向垂直于非磁性轮状2的表面即平行于非磁性轮状2的厚度方向。可选非磁性轮状2的下表面的z坐标为z＝z0，非磁性转轮2的厚度为th1，则其上表面的z坐标为z＝z0+th1，位于非磁性轮状2下表面下方的器件的z坐标小于z0，位于非磁性轮状2上表面上方的器件的z坐标大于z0+th1。该旋转碟式磁场强探头1中器件的坐标点采用柱坐标(r，α，z)进行表征，其中，r表征与z轴的垂直间距，α表征为r在x-y平面的投影与x轴的夹角。可选非磁性轮状2的材质为塑料、陶瓷、金属或聚合物等任意一种非磁性材料。

本实施例中，4n个第一软磁扇区3位于非磁性转轮2上。假设n＝2，则如图1所示非磁性转轮2上具有8个第一软磁扇区3，分别为3(1)～3(8)，原始状态下xy坐标第一象限内紧邻+x轴的一第一软磁扇区3标记为3(1)，剩余7个逆时针依次标记为3(2)～3(8)，可以理解，随着非磁性转轮2的旋转，3(1)会旋转至不同位置。该8个第一软磁扇区3的柱坐标分别为(r[r1,r2]，α[φ0,45°-φ0]，z[z0,z0+th1])，(r[r1,r2]，α[φ0+45°,90°-φ0]，z[z0,z0+th1])，(r[r1,r2]，α[φ0+90°,135°-φ0]，z[z0,z0+th1])，(r[r1,r2]，α[φ0+135°,180°-φ0]，z[z0,z0+th1])，(r[r1,r2]，α[φ0+180°,225°-φ0]，z[z0,z0+th1])，(r[r1,r2]，α[φ0+225°,270°-φ0]，z[z0,z0+th1])，(r[r1,r2]，α[φ0+270°，315°-φ0]，z[z0,z0+th1])和(r[r1,r2]，α[φ0+315°,360°-φ0]，z[z0,z0+th1])。可以理解，在其他实施例中还可选n＝1或n为大于或等于3的正整数。