第1线圈的至少局部设于ic芯片中的Zui上层的金属层。

(技术方案4)

可以是，ic芯片还具有第2线圈。

可以是，第2线圈的一端与第1线圈的另一端相连接。

可以是，第2线圈的另一端与第2焊盘相连接。

可以是，第1线圈的另一端经由第2线圈与第2焊盘相连接。

可以是，磁传感器芯片具有检测第2轴向的磁气的第2磁传感器。

(技术方案5)

可以是，第2外部输出端子为接地端子。

(技术方案6)

可以是，第2线圈的至少局部在ic芯片设于薄膜电阻值Zui低的金属层。

(技术方案7)

可以是，第2线圈的至少局部设于ic芯片中的Zui上层的金属层。

(技术方案8)

可以是，ic芯片还具有第3线圈、与第3线圈的一端相连接的第3焊盘以及与第3线圈的另一端相连接的第4焊盘。

可以是，磁传感器芯片具有检测第3轴向的磁气的第3磁传感器。

可以是，磁传感器模块具有第3外部输出端子。

可以是，磁传感器模块具有将第3焊盘和第3外部输出端子连接的第3导线。

可以是，磁传感器模块具有第4外部输出端子。

可以是，磁传感器模块具有将第4焊盘和第4外部输出端子连接的第4导线。

(技术方案9)

可以是，第4外部输出端子为接地端子。

(技术方案10)

可以是，第3线圈的至少局部在ic芯片设于薄膜电阻值Zui低的金属层。

(技术方案11)

可以是，第3线圈的至少局部在ic芯片设于比第1线圈和第2线圈靠下层的金属层。

(技术方案12)

可以是，磁传感器模块为磁阻元件。磁阻元件可以是，第1磁传感器、第2磁传感器以及第3磁传感器构成惠斯通电桥电路。

(技术方案13)

第1磁传感器配置为，至少局部重叠于由第1线圈产生的磁场Zui大的位置第2磁传感器配置为，至少局部重叠于由第2线圈产生的磁场Zui大的位置。

此外，上述的发明内容并没有列举本发明所需的全部特征。另外，这些特征组的子组合也能够成为发明。

附图说明

图1表示说明本实施方式的磁传感器模块10的功能的框图。

图2表示本实施方式的磁传感器模块10的概略图。

图3表示本实施方式的ic芯片200的俯视图。

图4表示本实施方式的第1线圈210和第2线圈220的俯视图。

图5表示本实施方式的第3线圈230的俯视图。

图6表示本实施方式的磁传感器芯片100的俯视图。

图7表示本实施方式的第1磁传感器110等的等效电路的一个例子。

图8表示图2所示的磁传感器模块10的剖面s(点划线)的垂直剖面的概略图。

图9表示本实施方式的磁传感器模块10的处理流程的一个例子。

油研YUKEN电液换向阀部分型号如下：

DSHG-10-2B2-T-A220-N1-50 DSHG-10-2B2-ET-A220-N1-50 DSHG-10-2B2-E-A220-N1-50

DSHG-10-2B2-T-A110-N1-50 DSHG-10-2B2-ET-A110-N1-50 DSHG-10-2B2-E-A110-N1-50

DSHG-10-2B2-T-A240-N1-50 DSHG-10-2B2-ET-A240-N1-50 DSHG-10-2B2-E-A240-N1-50

DSHG-10-2B2-T-A100-N1-50 DSHG-10-2B2-ET-A100-N1-50 DSHG-10-2B2-E-A100-N1-50

DSHG-10-2B2-T-D24-N1-50  DSHG-10-2B2-ET-D24-N1-50  DSHG-10-2B2-E-D24-N1-50

DSHG-10-2B2-T-A220-50 DSHG-10-2B2-ET-A220-50 DSHG-10-2B2-E-A220-50

DSHG-10-2B2-T-A110-50 DSHG-10-2B2-ET-A110-50 DSHG-10-2B2-E-A110-50

DSHG-10-2B2-T-A240-50 DSHG-10-2B2-ET-A240-50 DSHG-10-2B2-E-A240-50

以下通过发明的实施方式来说明本发明，但以下的实施方式并不限定与权利要求相关的技术方案。另外，在实施方式中说明的特征的组合的全部内容对于发明的解决方案而言并非都是必须的。

图1表示说明本实施方式的磁传感器模块10的功能的框图。本实施方式的磁传感器模块10利用内置于ic芯片的线圈，给予磁传感器均匀的校准磁场，由此对磁传感器进行灵敏度调整。磁传感器模块10具有磁传感器芯片100和ic芯片200。像后述那样，磁传感器模块10还包括搭载基板300等，但在图1的说明中省略。

磁传感器芯片100测量外部磁场。可以是，磁传感器芯片100具有1个以上的多个磁传感器，由此检测1个以上的轴向的磁气。例如，磁传感器芯片100具有第1磁传感器110、第2磁传感器120以及第3磁传感器130。

作为一个例子，可以是，第1磁传感器110检测第1轴向的磁气，第2磁传感器120检测与第1轴不同的第2轴向的磁气，第3磁传感器130检测与第1轴和第2轴正交的第3轴向的磁气。第1磁传感器110、第2磁传感器120以及第3磁传感器130将与磁检测结果相对应的电压信号向ic芯片200输出。

ic芯片200处理来自磁传感器芯片100的信号，给予磁传感器芯片100校准磁场，对磁传感器进行灵敏度调整。例如，ic芯片200具有对磁传感器芯片100的1个以上的磁传感器进行灵敏度调整的灵敏度调整部202和处理来自磁传感器芯片100的信号的信号处理部204。

灵敏度调整部202包括ac磁场发生电路206和分别与磁传感器芯片100的1个以上的磁传感器相对应地设置的1个以上的线圈(例如第1线圈210、第2线圈220以及第3线圈230)。

ac磁场发生电路206将极性不同的校准电流依次施加于各线圈。例如，ac磁场发生电路206相对于各第1线圈210、第2线圈220以及第3线圈230赋予ac校准电流，由此，使第1线圈210、第2线圈220以及第3线圈230产生ac校准磁场。由此，各第1磁传感器110、第2磁传感器120以及第3磁传感器130检测各ac校准磁场，将与磁检测结果相应的ac电压信号向信号处理部204输出。

像后述那样，可以是，第1线圈210和第2线圈220被赋予共通的电流，同时产生校准磁场。或者也可以是，第1线圈210和第2线圈220被独立地赋予电流，独立地产生校准磁场。